CMOS集成電路的性能及特點的詳細資料說明

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上傳日期: 2020-06-03

上 傳 者: 易水寒他上傳的所有資料

資料介紹

標簽:VDD(50)CMOS(3197)集成電路(4382)

  功耗低

  CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態,電路靜態功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。

  工作電壓范圍寬

  CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩壓。國產CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。

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  邏輯擺幅大

  CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當VDD=15V,VSS=0V時,輸出邏輯擺幅近似15V。因此,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數在各類集成電路中指標是較高的。

  抗干擾能力強

  CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%,保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加,噪聲容限電壓的絕對值將成比例增加。對于VDD=15V的供電電壓(當VSS=0V時),電路將有7V左右的噪聲容限。

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